中泰证券:叠加AI强驱动 存储厂商有望迎业绩与估值的戴维斯双击

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中泰证券5月11日研报表示,从半导体细分赛道看,存储板块有望较早复苏,23Q1海力士、美光、三星半导体部门创近十年最大亏损,各家厂商降低产出、推动供需情况改善,且行业具备量价齐升逻辑,叠加AI强驱动,存储厂商有望迎业绩与估值的戴维斯双击,建议重点关注大陆存储赛道标的:兆易创新(全球nor第三、大陆存储龙头,Nor+DRAM+NAND全覆盖,DRAM加速布局)、东芯股份(大陆SLC NAND龙头,Nor+DRAM+NAND全覆盖)、北京君正(大陆车载存储龙头)、深科技(大陆存储封测龙头,配套长鑫长存存储需求)、普冉股份(强阿尔法,Nor从小容量向大容量拓展、MCU新增量)、江波龙(大陆存储模组龙头)等。

  全文如下

【中泰电子】存储:他山为鉴,上行周期弹性极佳

以美光为例,总结上行周期存储板块股价和估值演绎规律。大陆存储厂商上市时间相对较短,而海外存储IDM厂商已在存储周期浪潮中发展多年,本篇报告以美光为例,复盘历史,寻找在上行周期时股价、估值、盈利性的一般性规律。重点分析美光股价和财务数据,主要是因美光全球第三大存储原厂,DRAM+NAND营收占比达95%+,具有代表意义,同时因采用美国财年口径,季报发布时间较韩国和中国台湾厂商早一个月。

上行周期,股价从低点到高点涨幅超200%,股价和估值极具弹性。1)股价较基本面提前启动:在库存达高点前,股价提前启动,库存达高点后,股价继续反弹,接着存储合约价微跌或者横盘、基本企稳,后存储价格慢慢抬升,在此期间,股价一直处于上行区间。美光23年3月底展望Q1库存达峰值,但股价在22H2就已提前进入新一轮上行周期,从22H2的低点计算,截止4/21,股价已反弹26%。2) 股价规律:季度营收同比增速先达周期高点,后股价达周期高点。美光23Q1营收触底, 展望Q2营收环比持平,距离季度营收同比增速高点仍有较长时间,股价仍处于周期底部位置。复盘历史可见,存储IDM厂商股价从低点到高点涨幅200%+,从高点到低点跌幅40%+。以4/21股价计算,存储IDM厂商股价从22H2低点已反弹20%-40%,根据过往规律,股价上涨空间依然较大。3)估值规律:在周期底部,美光PB估值仅1倍,而在周期上行时,最高可达3-4倍。4)盈利弹性:存储IDM毛利率、净利率从低点到高点有20 pcts的提升空间。

存储现货价涨跌互现,部分型号出现涨价,部分型号跌幅收窄,出现积极信号。存储厂商毛利率波动大,主要是因存储价格波动剧烈,跟踪存储价格变化是判断行业景气的重要指标,存储价格分为合约价和现货价,合约价每月更新,现货价每日更新,对市场供需更为敏感。参考集邦存储价格数据,本轮周期中DRAM芯片中的DDR4、DDR3合约价从高点跌幅约60%,现货价从高点跌幅约70%,均已创历史新低,复盘上轮存储价格反弹,合约价涨幅40%-90%不等,现货价涨幅80%-170%不等,预期上行周期存储价格反弹力度大、反弹时的价格上涨速度快。4月合约价处于下行通道,DRAM月环比跌幅5%~20%,NAND月环比跌幅0%~3%。4月中旬DRAM部分型号价格在本轮下行周期首次出现上涨,从5/2-5/5的最新现货价格变化看,DRAM的周变化-1%~+3%,DDR5涨价,大容量DDR4止跌,NAND的周变化-3%~0%。具体来看:1)DRAM:主流DDR5 16Gb现货价格周涨幅2.28%,自4/21,DDR5已上涨3%,主流DDR4 16Gb(2Gx8)、DDR4 8Gb(1GX8)较上周五现货价无变化,利基DDR4、DDR3周变化-1%~0%,基本止跌。2)NAND:MLC周变化-0.09~0%,3D TLC周变化0%,SLC周变化-2.17%~0%。

投资建议

从半导体细分赛道看,存储板块有望较早复苏,23Q1海力士、美光、三星半导体部门创近十年最大亏损,各家厂商降低产出、推动供需情况改善,且行业具备量价齐升逻辑,叠加AI强驱动,存储厂商有望迎业绩与估值的戴维斯双击,建议重点关注大陆存储赛道标的:兆易创新(全球nor第三、大陆存储龙头,Nor+DRAM+NAND全覆盖,DRAM加速布局)、东芯股份(大陆SLC NAND龙头,Nor+DRAM+NAND全覆盖)、北京君正(大陆车载存储龙头)、深科技(大陆存储封测龙头,配套长鑫长存存储需求)、普冉股份(强阿尔法,Nor从小容量向大容量拓展、MCU新增量)、江波龙(大陆存储模组龙头)等。

风险提示

下游需求复苏不及预期、竞争加剧风险、大陆厂商技术迭代不及预期、中美贸易摩擦风险、第三方数据库数据信息可信性风险、历史规律失效风险、研报信息的更新不及时等。

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