中信证券:DRAM价格全线上涨 看好后市高端产品涨价持续性

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中信证券研报指出行业周期角度,海外大厂稼动控制下存储供需逐渐改善,主流存储价格23Q3起持续回暖,我们看好产业链公司23H2业绩底部复苏,及24全年持续改善。国内厂商主要布局利基存储设计或主流存储模组环节,23Q2大部分存储厂商毛利率已至近年低位,库存见顶,营收/出货量出现环比增长,部分厂商利润端环比改善。我们预计23H2随库存去化,需求逐步回归,未来行业细分龙头有望迎来业绩修复机会,看好国内存储产业链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇。

  全文如下

存储|RAM价格全线上涨,看好后市高端产品涨价持续性

行业周期角度,海外大厂稼动控制下存储供需逐渐改善,主流存储价格23Q3起持续回暖,我们看好产业链公司23H2业绩底部复苏,及24全年持续改善。国内厂商主要布局利基存储设计或主流存储模组环节,23Q2大部分存储厂商毛利率已至近年低位,库存见顶,营收/出货量出现环比增长,部分厂商利润端环比改善。我们预计23H2随库存去化,需求逐步回归,未来行业细分龙头有望迎来业绩修复机会,看好国内存储产业链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇。

▍DRAM方面:9月多数产品价格出现上涨,环比-1.04~+23.81%,本轮高点21年(3-6月)至23年(7-9月)低点累计跌幅为69~86%,触底后累计涨幅为0~26%。

高端DRAM(DDR5)合约价格稳定,主流DRAM(DDR4)价格由跌转涨,多数产品价格出现上涨,9月涨跌幅-1.04~+23.81%(8月涨跌幅-6.12~+6.45%),利基DRAM(DDR3)价格涨幅在5.26~23.81%(8月跌幅2.06~4.55%),目前价格均出现反弹。目前尽管市场仍供过于求,然原厂控产意愿坚定,我们认为DRAM价格涨幅和持续性仍取决于实际需求恢复程度。根据TrendForce,23Q3 DRAM跌幅收缩至0~5%;预计23Q4 DRAM合约价将止跌回升,涨幅为3~8%,各下游DDR5涨幅将超过DDR4,其中Mobile DRAM LPDDR5(X)供应略显紧张,涨幅预计将达5~10%,超过平均涨幅。

NAND Flash方面:9月NAND Flash价格持续回升,环比0.00~+19.87%(512Gb价格连续三月环比上涨,256Gb价格连续两个月环比上涨,128Gb价格保持稳定),本轮高点21年(8月)至23年(7-8月)累计跌幅为47~72%,触底后累计涨幅为0~30%。

根据CFM闪存市场,8月初至10月13日,512Gb Wafer价格从1.51美元上涨至1.81美元,涨幅达20%;根据TrendForce,由于原厂严格控制产能,预计NAND Flash第四季合约价有望全面起涨,涨幅约8~13%,其中3D NAND Wafer涨幅将达13~18%。

存储模组方面:9月多数存储模组产品价格上涨,本轮高点22年3月至23年10月10日累计跌幅45~64%(SSD&DDR4),触底后累计涨幅0~18%。

根据CFM闪存市场,截至10月10日,DDR4 UDIMM(8GB 3200)已从底部由约10.2美元上涨至12美元,涨幅约18%,OEM SSD(512GB SATA)由约19美元上涨至22美元,涨幅约16%,多数产品价格均出现上涨。根据TrendForce,受益于智能手机新机发布和季节拉货效应,以及在原厂强势报价下,预计eMMC、UFS模组Q4合约价涨幅将达10~15%。整体来看,模组产品单价已于Q3末开始回暖,我们认为随下游需求持续复苏,同时原厂积极限产、上游Wafer价格处于底部回升阶段,模组环节盈利水平有望持续修复。

价格传导分析:Wafer价格上涨已传导至模组现货端,9月模组端涨幅进一步扩大。

5月起,美、韩系厂商大幅减产后,部分供应商已经开始调高wafer报价;由于多数供应商已开始减产,库存压力在Q3下降,三星等原厂报价态度强势,Q3合约价已出现较大幅度反弹,并刺激买方采购意愿,加速供需平衡。

8月末起,晶圆端涨价已开始传导至模组端,根据CFM闪存市场,SSD、EMMC、UFS等模组产品中多数已出现不同幅度的上涨,并延续到9月且涨幅进一步扩大。

展望后续,我们预计10月涨价将持续,然供需关系短期仍未发生根本转变,涨幅或将相对收窄。我们认为,Wafer合约价格在本轮周期复苏和涨价中表现相对温和,且具备持续性,对行业整体供需关系的趋势判断更具参考意义。我们预计23Q3 NAND各环节涨价将延续至23Q4;随DRAM持续减产以及下游服务器市场复苏,预计23Q4 DRAM价格有望持续回升。

中国台湾厂商高频数据:

主流存储器价格仍相对承压,中国台湾存储市场的重点公司如旺宏、华邦电、南亚科、力积电营收同比下降,但进入三季度,受益于市场回暖、部分产品价格上涨,9月除旺宏外各家营收环比均上升:旺宏9月营收同比-39.58%,环比-3.84%;华邦电9月营收同比同比-7.96%,环比+5.32%;南亚科9月营收同比-15.03%,环比+5.80%;力积电9月营收同比-41.83%,环比+0.84%。

供给端:为应对行业供过于求,主流原厂控产意愿坚定,库存水位有望持续修复。

据各公司业绩交流会,美光FY2023资本支出计划降至70亿美元,同比-40%以上,并将对DRAM和NAND进一步减产30%至2024年;SK海力士FY2023资本开支计划将同比削减超50%,并决定对NAND进一步减产5-10%;西部数据预计FY2024资本支出将大幅下降,三星平泽与西安厂扩大减产幅度;我们预计23H2大厂库存消耗速度将加快,促使半导体整体产业状况改善。量产、扩产方面,美光计划于2024年初开始大量出货HBM3E,正在进行英伟达认证;三星电子计划明年初量产第9代NAND;三星、SK海力士有望加快DDR5增产步调。

从历史周期看,资本开支增速与市场规模增速强相关性,随着各大存储厂商陆续下调2024年资本开支计划并降低稼动率,我们预计2024年行业供给增速将低于需求增速,供需将逐步达到平衡,有助于库存修复,我们看好存储板块周期2023年下半年见底,2024年稳步回升。

需求端:下游厂商“降成本、去库存”趋势持续,看好需求逐步复苏。

2022年需求疲软下行业库存持续攀升,23H1行业库存持续去化,具体来看,IoT品类中海外市场及低阶产品需求更好,Q2供应链去库存接近尾声,下游客户逐步恢复拉货;手机品类中高端产品需求稳定,低阶产品需求更具韧性(性价比凸显),供应链中部分细分品类库存去化进展顺利,已进入补库存阶段;PC 23Q2库存持续去化,23H2需求有望进一步回暖;传统服务器行业仍处于库存去化阶段。

我们认为,目前终端厂商已处于去库存后期,全年出货有望前低后高,看好23H2至24年下游需求回暖趋势:

1)服务器端,我们预计23Q3需求有望实现环比增长,看好23H2 DDR5服务器端需求提升,同时AI服务器DRAM和NAND的容量需求(content)是传统的6~8x和3x;

2)PC端,我们预计23年PC出货同比下滑低两位数(low-double digit);

3)手机及智能终端,我们预计23年智能手机出货同比下降中个位数(mid-single digit),年内前低后高,库存逐季改善;

4)汽车端稳健增长,我们预计23Q3工业市场初步复苏,行业库存及需求有望在23H2持续改善。

风险因素:

下游需求复苏不及预期;芯片价格持续下跌;行业竞争加剧;新技术研发进展缓慢;国际地缘政治冲突等。

投资建议:

看好海外原厂控产主导下存储价格温和复苏,行业细分龙头有望迎来业绩修复机会。行业周期角度,海外大厂稼动控制下存储供需逐渐改善,主流存储价格23Q3起持续回暖,我们看好产业链公司23H2业绩底部复苏,及24全年持续改善。国内厂商主要布局利基存储设计或主流存储模组环节,23Q2大部分存储厂商毛利率已至近年低位,库存见顶,营收/出货量出现环比增长,部分厂商Q2利润端环比改善。

我们预计23H2随库存去化,需求逐步回归,未来行业细分龙头有望迎来业绩修复机会,看好国内存储产业链周期复苏叠加国产化趋势下的投资机遇。建议关注:1)存储模组;2)存储芯片设计;3)存储配套芯片。

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