东吴证券:AI拉动景气度向上叠加业绩拐点 存储板块成长动能充足

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东吴证券研报表示,市场担心前期存储板块涨价主要系海外原厂控产导致,持续性堪忧,但我们认为下游需求逐步回暖叠加HBM新品需求及DDR5渗透率持续提升,存储板块成长动能持续接力。存储国产化势在必行,重点关注存储产业链。通过对产业链主要玩家减产动作、库存及涨价传导业绩改善观测,大厂HBM及DDR5等新品扩产明确,国产化存储产品突破、AI及下游需求回暖等持续催化,我们在当前时点看好存储涨价传导业绩反弹及AI算力存储国产主线。伴随下游AI服务器、新能源汽车等新需求及消费电子、家电、工控等多领域需求复苏催化拉动,基于产业配套及国产化替代等逻辑,我们认为存储板块重点看两条主线:1)涨价逻辑业绩反弹标的:佰维存储(2023年四季度毛利率环比提升超过13个百分点)、德明利(全年扭亏,第四季度净利润大幅增长)、江波龙(营收破百亿元,四季度扭亏为盈)、普冉股份等。2)HBM及AI算力存储国产化相关标的:佰维存储(研发封测一体化厂商)、朗科科技(国内大湾区算力枢纽核心存储模组厂商)、香农芯创(海力士国内核心分销商)、万润科技(与国内存储大厂密切合作)、同有科技、澜起科技等。

  全文如下

AI拉动景气度向上叠加业绩拐点,存储板块成长动能充足

投资要点

存储产品价格持续上涨,有望打开量价齐升局面。伴随海外大厂持续降低稼动率、去库存,存储板块自23Q3触底反弹进入涨价上行通道。DRAM、NAND颗粒价格均自23Q4起涨,Wafer涨价趋势明显。随着海外大厂积极减产提价叠加AI催化,下游拉货意愿强烈,存储市场供不应求行情显著。随着需求的进一步回暖,涨价有望持续,量价齐升。此外,HBM、DDR5等高附加值产品渗透率逐步提升,有望拉动存储价格进一步上涨。

行业整体回暖,国内模组厂业绩拐点已现。1)海外市场:收入端,存储行业下行导致多家企业的营收出现下跌,但AI发展带来了对服务器和移动端产品的高需求,部分公司业绩回弹。利润端,2023年Q1行业整体毛利率大幅下降,企业通过提升产品ASP成功提升盈利能力。各公司通过成本管理收窄亏损额,行业逐步回暖。头部公司的库存周转天数下降,预示市场环境逐步改善。产品端,NAND业务2024Q1稼动率仍较低,而HBM和DDR5产能有所回升,资本支出将聚焦于这一领域。整体来看,DRAM和NAND供给逐季减少,产品市场价格有望提升,根据TrendForce预测, NAND Flash2024Q1合约价季涨幅为18%-23%,DRAM Q1涨幅13-18%。2)国内市场:业绩方面23Q3绝大部分厂商都实现了环比增长,部分厂商营收实现同比增长,随着23年业绩预告逐步公告,模组厂Q4已经迎来业绩拐点。

智能手机、PC等下游需求改善叠加HBM等新品需求提升,存储行业成长动能充足。随着数字化的发展,智能手机、智能穿戴设备、PC、服务器等产品需求量增加,带动了存储芯片的需求增长。2023Q4全球智能手机出货量达到3.261亿台,可穿戴设备2023Q3全球出货量同比增长2.6%,达到1.5亿台。根据Gartner数据,2023Q4全球PC出货量总计6330万台,比2022Q4增长0.3%。根据IDC数据,预计服务器2026年全球市场规模和出货量将达到1665.0亿美元和1885.1万台。

投资建议:市场担心前期存储板块涨价主要系海外原厂控产导致,持续性堪忧,但我们认为下游需求逐步回暖叠加HBM新品需求及DDR5渗透率持续提升,存储板块成长动能持续接力。存储国产化势在必行,重点关注存储产业链。通过对产业链主要玩家减产动作、库存及涨价传导业绩改善观测,大厂HBM及DDR5等新品扩产明确,国产化存储产品突破、AI及下游需求回暖等持续催化,我们在当前时点看好存储涨价传导业绩反弹及AI算力存储国产主线。伴随下游AI服务器、新能源汽车等新需求及消费电子、家电、工控等多领域需求复苏催化拉动,基于产业配套及国产化替代等逻辑,我们认为存储板块重点看两条主线:1)涨价逻辑业绩反弹标的:佰维存储(Q4毛利率环比提升超过13pcts)、德明利(全年扭亏,第四季度净利润大幅增长)、江波龙(营收破百亿元,四季度扭亏为盈)、普冉股份等。2)HBM及AI算力存储国产化相关标的:佰维存储(研发封测一体化厂商)、朗科科技(国内大湾区算力枢纽核心存储模组厂商)、香农芯创(海力士国内核心分销商)、万润科技(与国内存储大厂密切合作)、同有科技、澜起科技等。

风险提示:涨价传导不及预期风险;宏观经济形势变化风险;龙头厂商减产不及预期风险;下游复苏不及预期风险。

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